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華虹無錫廠打破全球Fab建廠速度記錄
出自:大半導體產業網

6月6日,“華虹無錫集成電路研發和制造基地(一期)12 英寸生產線建設項目首批光刻機搬入儀式”在無錫新區舉行。無錫市委書記、市長等政府官員到場祝賀首臺光刻機搬入,并與華虹集團董事長一起為首臺將要移入的光刻機揭幕。



總投資 100 億美元的華虹無錫集成電路研發和制造基地項目,一期工程總投資約 25 億美元,新建一條12 英寸90-55 納米工藝等級生產線,設計月產能約 4 萬片。據悉,這條特色工藝集成電路生產線,主要支持面向 5G 和物聯網等新興領域的應用。



據透露,華虹半導體(無錫)有限公司一期工程計劃于 2019 年上半年完成土建施工,并完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝,下半年將開始設備安裝通線調試,9月起將逐步實現規模量產。所有工程進度均超過計劃進度。



用225天完成土建、155天實現潔凈室通電,迄今已有35臺設備搬入。由華虹集團董事長張素心親自主導的華虹無錫(7廠),用時14個月完成土建直至機臺搬入,打破了全球Fab廠建設最快用時15個月的記錄。ASML資深副總裁現場見證了華虹的新紀錄,并表示ASML愿意繼續以中國大陸最先進的光刻技術設備,支持華虹振興中國芯的雄心壯志。



據了解,華虹無錫基地項目將分期建設數條 12 英寸生產線。首期項目實施后,將適時啟動第二條生產線建設。

 

 

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文章收入時間: 2019-06-06
 
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